Proses pengeluaran berlian tiruan arus perdana termasuk Tekanan Tinggi Suhu Tinggi (HPHT) dan Pemendapan Wap Kimia (CVD). Proses yang kurang biasa termasuk kaedah letupan, dan kaedah baru muncul masih dalam peringkat penyelidikan dan pembangunan makmal. Butiran adalah seperti berikut:
Suhu Tinggi Tekanan Tinggi (HPHT) – Proses Perindustrian Arus Perdana Semasa
Ini ialah kaedah penyediaan berlian industri yang paling awal dan paling matang dari segi teknologi, dan pada masa ini kaedah pengeluaran utama untuk-berlian gred dan{1}}makmal kualiti permata-perindustrian.
Prinsip Teras: Mensimulasikan persekitaran pembentukan berlian semula jadi, di bawah tekanan tinggi (5-7 GPa) dan suhu tinggi (1300-1600 darjah ), pemangkin seperti nikel, besi atau kobalt digunakan untuk menggalakkan penyusunan semula atom karbon dalam serbuk grafit-ketulenan tinggi, secara langsung mengubahnya menjadi kristal berlian. Dalam pengeluaran perindustrian, penekan hidraulik enam sisi digunakan terutamanya untuk menyediakan persekitaran tekanan tinggi yang stabil, yang mampu mengeluarkan puluhan ribu tan tekanan untuk memenuhi keperluan sintesis.
Kelebihan Proses: Teknologi matang, output tinggi, dan kos yang agak rendah. Berlian yang disintesis mempunyai kehabluran tinggi dan kekuatan mekanikal yang sangat baik, sesuai untuk menghasilkan pelelas industri dan alat pemotong, serta menumbuhkan berlian kristal-saiz besar-berkualiti-tunggal{3}}besar (Power Diamond menggunakan proses ini untuk mengembangkan berlian kasar super besar 156.47-karat dalam 2025).
Had: Keperluan yang sangat tinggi untuk rintangan tekanan peralatan; sukar untuk menyediakan filem berlian berterusan bersaiz besar-.
Pemendapan Wap Kimia (CVD) – Proses Teras untuk Berlian Berfungsi
Terutamanya untuk aplikasi-tinggi seperti filem berlian-luas besar dan substrat pelesapan haba semikonduktor:
Prinsip Teras: Dalam keadaan tekanan rendah/normal, karbon-yang mengandungi gas seperti metana dan asetilena diaktifkan oleh plasma atau tenaga haba, menguraikannya kepada kumpulan karbon aktif, yang kemudiannya dimendapkan dan tumbuh pada permukaan substrat untuk membentuk filem berlian/hablur tunggal. Berdasarkan kaedah input tenaga, CVD boleh dikategorikan seperti berikut:
Microwave Plasma CVD (MPCVD): Kualiti pertumbuhan tinggi, digunakan terutamanya untuk menyediakan-kristal tunggal berkualiti tinggi, tetapi kos peralatan adalah tinggi;
CVD Filamen Panas (HFCVD): Kos peralatan yang rendah dan pertumbuhan pantas, tetapi terdedah kepada kekotoran;
DC Arc Plasma Jet CVD: Kadar pertumbuhan pantas dan kos yang agak rendah.
Kelebihan Proses: Ketulenan produk yang tinggi, mampu menyediakan filem nipis-kawasan yang besar, menjadikannya proses pilihan untuk pelesapan haba semikonduktor dan alat pemotong ketepatan. Pada tahun 2026, Huanghe Whirlwind mengumumkan bahawa sink haba berlian 8 inci menggunakan laluan ini tidak lama lagi akan dikeluarkan secara besar-besaran, dan Sifangda juga telah mencapai keupayaan fabrikasi substrat 12 inci.
Status Pembangunan Semasa: negara saya telah membuat kejayaan dalam-teknologi fabrikasi bersaiz besar. Pasukan Universiti Jilin berjaya menyediakan berlian kristal tunggal kualiti 2-tinggi-berkualiti pada tahun 2026.
